TPW65R12Q/TPW80R12Q：支持负载完全关断与电流回传的车规理想二极管控制器

在汽车电子系统中，许多模块（如ADAS、T-Box、智能车灯）需在车辆休眠时彻底切断供电以满足严苛的静态电流要求。然而，若仅使用单颗N-MOSFET作为电源开关，其寄生体二极管会在输出端电压高于输入端时导通，导致“关不断”问题——即使MOSFET已关断，负载仍可能通过体二极管从其他并联电源或电容反向取电，破坏低功耗设计目标。

针对这一痛点，思瑞浦推出新一代车规级理想二极管控制器 TPW65R12Q 与 TPW80R12Q，通过驱动背靠背NMOS结构，实现真正的负载完全关断，同时保留对感性负载电流回传的支持能力。

核心功能与参数

两款器件均采用双MOS控制架构，源极相对连接，彻底阻断体二极管路径：

TPW65R12Q：支持 3.2V ~ 65V 工作电压，耐受 −65V 反向电压

TPW80R12Q：扩展至 3.2V ~ 80V 工作范围，可承受 −80V 反向电压，适配48V高压系统

二者均支持两种关键工作模式：

正常供电模式：MOSFET导通，正向压降低至数十毫伏，效率远超肖特基二极管；

主动关断模式：当EN引脚拉低，两颗MOSFET同步关断，双向电流路径均被切断，确保负载端无任何漏电路径。

此外，在驱动感性负载（如LED车灯驱动IC的输入滤波电感）时，芯片可智能允许短暂的反向续流，避免关断瞬间产生高压尖峰，兼顾可靠性与EMC性能。

典型应用场景

ADAS域控制器：休眠时需完全隔离电源，防止微安级漏电累积影响整车功耗

T-Box远程通信模块：满足<100μA待机电流要求，避免体二极管导致“假关断”

高亮度LED车灯：抑制反电动势，同时支持ECU指令下的硬关断

使用注意事项

必须使用背靠背NMOS：两颗MOS源极相连，栅极分别由GATE1/GATE2驱动，不可省略任一管。

MOS选型建议：VDS ≥ 100V（尤其用于48V系统），Qg尽量低以加快关断速度；RDS(on)建议 ≤ 10mΩ 以降低导通损耗。

布局关键点：SENSE、GND及功率回路应尽量短，避免噪声误触发保护；建议在GATE引脚就近放置10Ω电阻抑制振铃。

关断时序验证：在实车休眠测试中，需确认输出端电压真正归零，排除其他并联路径干扰。

TPW65R12Q与TPW80R12Q通过真关断+智能回流的双重能力，解决了车载低功耗系统中长期存在的“体二极管漏电”难题，为高功能安全、高能效的下一代汽车电子架构提供了关键电源管理支撑。

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