英飞凌推2300V CoolSiC™ MOSFET：为1500V光伏与储能系统注入高可靠“芯”动力

在风光大基地、大型储能电站和绿氢制备等新型能源基础设施加速落地的今天，直流母线电压从传统的1000V迈向1500V甚至1800V，已成为提升系统效率、降低线损与BOM成本的关键路径。为响应这一趋势，英飞凌正式推出 XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ 碳化硅MOSFET模块，以超高耐压、超低损耗与军工级可靠性，重新定义高功率能源电子的性能边界。

 XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ 碳化硅MOSFET模块产品型号

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为什么是2300V？直击1500V系统痛点

标称1500V的直流系统在实际运行中常面临瞬态过压、雷击浪涌等挑战，母线电压可能短时飙升至1800V以上。传统1700V SiC器件在此类场景下安全裕度不足，而英飞凌2300V CoolSiC™ 提供了充足的电压余量，显著提升系统鲁棒性，同时简化保护电路设计。

该系列模块电流覆盖 1000A 至 2000A，导通电阻低至 0.95mΩ，配合低电感XHP™ 2封装，大幅降低开关与导通损耗，使逆变器或PCS（功率转换系统）整机效率轻松突破99%。

可靠性拉满：.XT技术+175°C高温运行

面对沙漠、高原、海上等极端环境，可靠性是能源设备的生命线。英飞凌在XHP™ 2模块中全面应用 .XT扩散焊技术——通过铜烧结替代传统焊料，将热循环寿命提升数倍，确保在频繁启停或温度骤变工况下长期稳定运行。

模块支持 最高175°C持续工作结温，并具备 短路耐受能力 与 高浪涌电流承受能力，有效应对电网故障或负载突变。此外，提供 4kV/6kV两种隔离电压等级，满足不同安全规范要求。

设计友好：预涂导热材料+灵活基板选项

为加速客户产品上市，全系列模块可选 预涂导热界面材料（TIM）版本，省去现场涂胶工序，提升产线一致性与散热效率。基板方面，支持 铜基板（高导热）与 铝碳化硅复合基板（低热膨胀系数），适配不同散热架构与机械应力需求。

对称的电气布局进一步降低寄生电感，抑制电压过冲，让高频开关更“干净”。

应用场景：不止于光伏，更赋能绿氢未来

该系列产品已广泛应用于：

大型地面光伏电站：1500V组串式/集中式逆变器；

电网级储能系统：双向PCS实现高效充放电；

电解水制氢电源：高效率、高可靠性支撑绿氢降本增效。