意法半导体推出GaNSPIN芯片，GaN技术正式进军电机驱动市场

在氮化镓（GaN）快充席卷消费电子之后，这项宽带隙半导体技术正加速向高功率工业与家电领域渗透。近日，意法半导体（STMicroelectronics）正式发布其 GaNSPIN 系列智能功率芯片——GaNSPIN611 与 GaNSPIN612，首次将集成化 GaN 半桥方案引入 洗衣机、吹风机、电动工具及工厂自动化设备 的电机驱动系统，助力厂商实现更高能效、更小体积与更强性能的下一代产品设计。

作为 GaNSPIN 家族的首批成员，这两款系统级封装（SiP）器件可驱动高达 400W 的无刷直流（BLDC），适用于压缩机、水泵、风扇及伺服系统等典型负载。其引脚兼容设计支持后期无缝升级，其中 GaNSPIN611 已量产，采用 9mm × 9mm 散热增强型 QFN 封装，显著简化电源与电机控制模块的布局。

专为电机优化的GaN驱动架构

与通用 GaN 驱动器不同，GaNSPIN 内置 硬开关优化电路，可精确控制 MOSFET 的开通/关断时序，将 dV/dt 限制在标称 10V/ns，有效缓解电机绕组承受的电压过冲与电磁应力。这一特性不仅延长了电机寿命，还大幅降低 电磁干扰（EMI），使终端产品更容易通过 欧盟 EMC 指令 等严苛法规认证。设计人员还可通过外部电阻微调 dV/dt 斜率，适配不同电机电感特性，实现性能与噪声的最佳平衡。

得益于新一代 650V GaN 功率晶体管，GaNSPIN611 的导通电阻（RDS(on)）低至 138mΩ，GaNSPIN62 为 270mΩ，显著降低导通损耗与自发热。在多数中低功率应用中，甚至 无需外加散热器，整体功率模块尺寸可缩小 高达60%，PCB 成本同步下降。

高度集成，简化系统设计

GaNSPIN 并非简单堆叠 GaN 器件，而是一个完整的 半桥驱动 SiP，内部集成：

上下桥臂 GaN 功率开关；

栅极驱动器；

自举二极管（省去外部元件）；

多重保护机制：过流、过压、欠压锁定（UVLO）、过热及互锁保护；

智能关断比较器，支持可编程禁用时间，实现 亚微秒级过流响应；

待机省电引脚，满足生态设计指令对低功耗待机的要求。

该芯片支持 110V–230V 通用交流输入，宽达 20V 的逻辑供电范围 也便于从传统硅基方案平滑迁移。

推动家电与工业绿色升级

“GaNSPIN 不仅提升能效，更解锁了产品轻量化与高性能的新可能，”意法半导体专用产品部总经理 Domenico Arrigo 表示，“未来家电将能实现更高转速、更低噪音和更优能源等级。”

在 2025 年德国 SPS 智能制造展上，ST 已现场演示基于 GaNSPIN 的电机控制器，引发工业与白电厂商高度关注。随着全球能效法规趋严（如欧盟 EcoDesign、中国能效标识升级），GaN 技术从“快充专属”走向“电机标配”，已成为不可逆趋势。

意法半导体此次以 系统级思维推出 GaNSPIN，不仅降低了 GaN 应用门槛，更标志着宽带隙半导体正式进入 高可靠性、高集成度的电机控制主战场。对于寻求差异化与绿色转型的 OEM 厂商而言，这或许正是下一代高效智能设备的关键“芯”引擎。

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