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华润微电子第五代SGT MOSFET:助力BMS市场突破性升级
发布时间:2026-04-09
随着新能源汽车和储能系统对电池性能要求的不断提升,电池管理系统(BMS)作为核心部件,必须具备更高的精度、更强的监控能力和更高的安全等级。华润微电子功率集成事业群(PIBG)瞄准这一高速增长的市场领域,推出了 第五代SGT MOSFET——CRSZ014N08N5...
ROHM推超低电容ESD二极管,破解高速接口保护难题
发布时间:2026-04-09
在AI服务器、5G/6G基站及自动驾驶系统加速演进的背景下,高速数据接口正不断突破带宽极限——从USB4、Thunderbolt 4到车载SerDes,传输速率普遍迈入10 Gbps以上。然而,信号速率的提升对静电放电(ESD)保护器件提出了近乎矛盾的要求:既要极低寄生电...
STM32蝉联全球MCU榜首:以开发者为中心铸就19.6%市占率
发布时间:2026-04-09
根据国际权威市场研究机构Omdia最新发布的报告,意法半导体(ST)再度巩固其在通用微控制器(GP MCU)领域的领导地位——STM32系列连续第五年稳居全球出货量第一,2025年市场份额跃升至19.6%,创下历史新高。这一数字不仅代表市场认可,更折射出一个核心...
TI TinyEngine NPU:嵌入式AI新范式,低至2µA待机功耗
发布时间:2026-04-09
在边缘智能加速渗透工业、能源与消费电子的当下,德州仪器(TI)正通过其自研 TinyEngine 神经处理单元(NPU),重新定义MCU的AI能力边界。这款专用硬件加速器已深度集成于C2000™及多款Arm® Cortex®-M系列MCU中,以超低功耗、高能效比和极简部署体验...
瑞萨电子推边缘AI电弧检测方案:10ms响应,赋能光伏、快充与数据中心安全
发布时间:2026-04-09
在光伏逆变器、储能系统、AI数据中心PDU及直流快充等高压高密场景中,电弧故障已成为引发电气火灾、设备损毁乃至业务中断的头号隐患。传统基于阈值或频域分析的保护机制,在面对高频噪声、宽动态电流、非线性负载及复杂环境时,常出现漏检或误...
新唐科技NAU82110:高效Class-D音频功放,助力便携设备长续航与优质音质
发布时间:2026-04-09
在消费电子、便携音箱及智能硬件快速迭代的背景下,音频功率放大器正朝着高效率、小体积、低失真、长续航的方向发展。新唐科技推出的 NAU82110 Class-D 18W单声道音频功放,凭借其核心技术与极致能效,成为中功率音频应用的理想选择,为各类音频...
AM13E230x MCU:集成边缘AI,革新电机控制系统设计
发布时间:2026-04-08
在工业自动化和智能家电领域,实时监测与控制对提升系统可靠性、降低能耗至关重要。传统设计依赖多个微控制器(MCU)及分立元件,导致复杂度、成本和功耗增加。为应对这一挑战,德州仪器(TI)推出的 AM13E230x 系列 MCU,以其高度集成的设计和内置的边缘...
英飞凌推EasyPACK™ 2B IGBT5模块,赋能高效热泵与HVAC系统
发布时间:2026-04-08
在“双碳”目标驱动下,热泵与商用暖通空调(HVAC)系统对能效、功率密度和成本控制提出更高要求。英飞凌近日推出面向该领域的 EasyPACK™ 2B TRENCHSTOP™ IGBT5 650V H5 功率模块(型号:FS3L35R07W2H5_40 / FS3L35R07W2H5_C56),以高度集成的Vienna...
恩智浦2026开年“芯”矩阵:从AI边缘到软件定义汽车全面发力
发布时间:2026-04-07
2026年初,恩智浦半导体(NXP)以一系列高集成度、高安全性新品强势开局,覆盖智能边缘计算、软件定义汽车(SDV),展现出其在AI与汽车电子融合浪潮中的技术纵深与生态协同能力。芯片级创新:集成化与智能化双轮驱动i.MX 93W 成为业界首款将AI NPU与三频...
Littelfuse IX4352NE:专为碳化硅(SiC)与IGBT优化的9A低边栅极驱动器
发布时间:2026-04-07
在电动汽车、可再生能源和工业自动化等高功率、高效率应用领域,碳化硅(SiC)MOSFET 和 IGBT 等宽禁带半导体器件正成为主流。然而,要充分发挥这些先进功率器件的性能潜力,离不开一款高性能、高可靠性的专用栅极驱动器。Littelfuse 推出的 IX4352...
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