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瑞萨双厂三十载:从制造基地到中国半导体战略支点
发布时间:2026-04-10
在半导体产业的全球版图中,三十年足以见证技术代际更迭、市场格局重塑。而对瑞萨电子而言,其北京与苏州工厂恰以这三十年为轴,完成了从本土化制造单元到智能化、绿色化战略支点的跃迁。近日,两座工厂同步庆祝成立三十周年,并在全球瑞萨2025 IM ...
埋入式齐纳基准:高精度测试系统校准的“黄金标尺”
发布时间:2026-04-10
在精密测试与测量设备中,模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)的性能直接决定了系统能否真实还原被测信号。然而,即便是顶级转换器,也会因偏移误差、增益误差及有效位数损失而引入测量偏差。这些误差往往源于环境温度变化、器件老化或电源波动,并最终...
THS6232 (德州仪器差分线路驱动器)中文参数 附引脚图及典型应用电路图
发布时间:2026-04-09
在高速电力线通信(HPLC)、智能电表及工业传感系统中,线路驱动器需在重负载下兼顾高输出电流、超低失真与灵活能效管理。德州仪器(TI)推出的 THS6232 差分线路驱动器,基于电流反馈架构,支持 7 V 至 40 V 宽电源范围,并集成多项面向实际工程部署的优...
瑞萨电子再获航盛“优秀合作伙伴奖”,共筑汽车电子协同生态
发布时间:2026-04-09
在汽车产业加速智能化、电动化转型的背景下,供应链协同创新已成为企业穿越周期、实现技术突破的关键路径。近日,以“聚力航行,智链新程”为主题的航盛2026年合作伙伴大会在深圳召开,吸引300余位产业链代表参与。会上,瑞萨电子凭借在产品交付、...
如何判断LDO是否适合高噪声环境?
发布时间:2026-04-09
在工业、汽车或通信等高噪声应用中,并非所有LDO都能胜任。仅凭“低 dropout”或“低静态电流”等基础参数无法反映其抗干扰能力。要准确判断LDO是否适用于高噪声环境,需从五个核心维度进行综合评估。1. 检查高频PSRR性能曲线电源抑制比(PSRR)...
华润微电子第五代SGT MOSFET:助力BMS市场突破性升级
发布时间:2026-04-09
随着新能源汽车和储能系统对电池性能要求的不断提升,电池管理系统(BMS)作为核心部件,必须具备更高的精度、更强的监控能力和更高的安全等级。华润微电子功率集成事业群(PIBG)瞄准这一高速增长的市场领域,推出了 第五代SGT MOSFET——CRSZ014N08N5...
ROHM推超低电容ESD二极管,破解高速接口保护难题
发布时间:2026-04-09
在AI服务器、5G/6G基站及自动驾驶系统加速演进的背景下,高速数据接口正不断突破带宽极限——从USB4、Thunderbolt 4到车载SerDes,传输速率普遍迈入10 Gbps以上。然而,信号速率的提升对静电放电(ESD)保护器件提出了近乎矛盾的要求:既要极低寄生电...
STM32蝉联全球MCU榜首:以开发者为中心铸就19.6%市占率
发布时间:2026-04-09
根据国际权威市场研究机构Omdia最新发布的报告,意法半导体(ST)再度巩固其在通用微控制器(GP MCU)领域的领导地位——STM32系列连续第五年稳居全球出货量第一,2025年市场份额跃升至19.6%,创下历史新高。这一数字不仅代表市场认可,更折射出一个核心...
TI TinyEngine NPU:嵌入式AI新范式,低至2µA待机功耗
发布时间:2026-04-09
在边缘智能加速渗透工业、能源与消费电子的当下,德州仪器(TI)正通过其自研 TinyEngine 神经处理单元(NPU),重新定义MCU的AI能力边界。这款专用硬件加速器已深度集成于C2000™及多款Arm® Cortex®-M系列MCU中,以超低功耗、高能效比和极简部署体验...
瑞萨电子推边缘AI电弧检测方案:10ms响应,赋能光伏、快充与数据中心安全
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在光伏逆变器、储能系统、AI数据中心PDU及直流快充等高压高密场景中,电弧故障已成为引发电气火灾、设备损毁乃至业务中断的头号隐患。传统基于阈值或频域分析的保护机制,在面对高频噪声、宽动态电流、非线性负载及复杂环境时,常出现漏检或误...
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